Thyristor à commutation rapide (série YC haut de gamme)

Description

La norme de fabrication et la technologie de traitement GE ont été introduites et utilisées par RUNAU Electronics depuis les années 1980.Les conditions de fabrication et de test complètes coïncidaient complètement avec les exigences du marché américain.En tant que pionnier de la fabrication de thyristors en Chine, RUNAU Electronics a fourni l'art des appareils électroniques de puissance d'État aux États-Unis, aux pays européens et aux utilisateurs mondiaux.Il est hautement qualifié et évalué par les clients et plus de gros gains et de valeur ont été créés pour les partenaires.

Introduction:

1. Puce

La puce de thyristor fabriquée par RUNAU Electronics utilise la technologie d'alliage fritté.La tranche de silicium et de molybdène a été frittée pour être alliée par de l'aluminium pur (99,999 %) sous un vide poussé et un environnement à haute température.L'administration des caractéristiques de frittage est le facteur clé pour affecter la qualité du thyristor.Le savoir-faire de RUNAU Electronics en plus de gérer la profondeur de jonction de l'alliage, la planéité de la surface, la cavité de l'alliage ainsi que la compétence de diffusion complète, le motif de cercle annulaire, la structure de porte spéciale.De plus, le traitement spécial a été utilisé pour réduire la durée de vie du porteur du dispositif, de sorte que la vitesse de recombinaison du porteur interne est fortement accélérée, la charge de récupération inverse du dispositif est réduite et la vitesse de commutation est améliorée en conséquence.Ces mesures ont été appliquées pour optimiser les caractéristiques de commutation rapide, les caractéristiques à l'état passant et la propriété de courant de surtension.Les performances et le fonctionnement de la conduction du thyristor sont fiables et efficaces.

2. Encapsulation

Par un contrôle strict de la planéité et du parallélisme de la plaquette de molybdène et du boîtier externe, la puce et la plaquette de molybdène seront intégrées étroitement et complètement au boîtier externe.Cela optimisera la résistance du courant de surtension et du courant de court-circuit élevé.Et la mesure de la technologie d'évaporation des électrons a été utilisée pour créer un film d'aluminium épais sur la surface de la plaquette de silicium, et la couche de ruthénium plaquée sur la surface du molybdène améliorera considérablement la résistance à la fatigue thermique, la durée de vie du thyristor à commutation rapide sera considérablement augmentée.

Spécifications techniques

1. Thyristor à commutation rapide avec puce de type alliage fabriqué par RUNAU Electronics capable de fournir les produits entièrement qualifiés de la norme américaine.
2. I_GT, V_GTet moi_Hsont les valeurs de test à 25℃, sauf indication contraire, tous les autres paramètres sont les valeurs de test sous T_jm;
3. I²t=je²F SM×tw/2, tw= Largeur de base du courant demi-onde sinusoïdale.A 50 Hz, je²t=0.005I²FSM(A²S);
4. À 60 Hz : je_FSM(8.3ms)=Je_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;je²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Paramètre: