La nouvelle plate-forme de conception de simulation de type de dispositif semi-conducteur de puissance a été récemment établie à Runau.Avec l'aide d'une plate-forme de simulation avancée et d'essais et d'analyses combinés, la recherche approfondie sur la structure de l'appareil et la théorie de base connexe a été menée à bien.L'effet de levier d'une théorie de pointe et d'une plate-forme de recherche a permis à l'entreprise de développer et de maîtriser la technologie de traitement clé de la puce à thyristor de 5 pouces, du GTO et de l'IGCT.Une capacité de processus complète de fabrication de thyristor, de diode de redressement, de module Schottky, d'IGCT, d'IGBT, de thyristor haute tension et haute intensité, ainsi que de construction de la plate-forme de test pilote pour les diodes à récupération ultra-rapide, toutes étaient disponibles à Runau avec succès.Une autre étape solide pour construire la base de fabrication d'appareils électroniques de puissance en Chine, nous sommes sur la bonne voie.