Thyristor de contrôle de phase (type alliage)

Description:

Le thyristor, également connu sous le nom de Silicon Control Rectifier (SCR), est un dispositif semi-conducteur haute puissance composé de trois structures PN.En termes de performances, le thyristor a non seulement une conductivité unidirectionnelle, mais a également une contrôlabilité plus précieuse que l'élément redresseur en silicium, qui ne dispose que de deux états de conduction et d'état désactivé, pour contrôler une grande puissance avec une petite puissance, une amplification de puissance jusqu'à des centaines ou des milliers de fois.La réaction est très rapide, s'allumant et s'éteignant en quelques microsecondes.Fonctionnement sans contact, pas d'étincelles, pas de bruit, tout en haute efficacité et à faible coût.Par conséquent, en particulier dans les systèmes d'alimentation à haute puissance, le thyristor a été largement utilisé dans les circuits redresseurs, les commutateurs de dérivation statique, les commutateurs de sortie sans contact et d'autres circuits.

La norme de fabrication de thyristors et la technologie de traitement de RUNAU Electronics ont été introduites des États-Unis depuis les années 1980, en tant que pionnier de la fabrication de thyristors en Chine, l'équipe technique de RUNAU avait acquis les connaissances de pointe et une vaste expérience de fabrication depuis plus de 30 ans.Sur la base du processus de fabrication traditionnel, les techniciens talentueux de RUNAU Electronics ont développé la technologie de pointe dans la fabrication de thyristors avec les caractéristiques avantageuses des produits européens, la qualité et les performances sont grandement améliorées, plus de grandes victoires sont obtenues dans l'application de l'électronique de puissance domaines, et plus de valeur a été créée pour les partenaires.

Introduction:

1. Puce

La puce de thyristor fabriquée par RUNAU Electronics utilise la technologie d'alliage fritté.La tranche de silicium et de molybdène a été frittée pour être alliée par de l'aluminium pur (99,999 %) sous un vide poussé et un environnement à haute température.L'administration des caractéristiques de frittage est le facteur clé pour affecter la qualité du thyristor.Le savoir-faire de RUNAU Electronics en plus de gérer la profondeur de jonction de l'alliage, la planéité de la surface, la cavité de l'alliage ainsi que la compétence de diffusion complète, la porte centrale, le motif de cercle annulaire ont été appliqués pour permettre le fonctionnement de conduction fiable et hautement efficace du thyristor, afin de assurer la performance de haute qualité.

2. Encapsulation

Par un contrôle strict de la planéité et du parallélisme de la plaquette de molybdène et du boîtier externe, la puce et la plaquette de molybdène seront intégrées étroitement et complètement au boîtier externe.Cela optimisera la résistance du courant de surtension et du courant de court-circuit élevé.Et la mesure de la technologie d'évaporation d'électrons a été utilisée pour créer un film d'aluminium épais sur la surface de la plaquette de silicium, et la couche de ruthénium plaquée sur la surface de molybdène améliorera considérablement la résistance à la fatigue thermique, la durée de vie du thyristor sera considérablement augmentée.

Spécifications techniques

1. Thyristor à commande de phase avec puce de type alliage fabriqué par RUNAU Electronics, gamme de I_VTAde 300A à 6000A et V_GDN/V_MRRde 800V à 4400V.
2. I_GT, V_GTet moi_Hsont les valeurs de test à 25℃, sauf indication contraire, tous les autres paramètres sont les valeurs de test sous T_jm;
3. I²t=je²F SM×tw/2, tw= Largeur de base du courant demi-onde sinusoïdale.A 50 Hz, je²t=0.005I²FSM(A²S);
4. À 60 Hz : je_FSM(8.3ms)=Je_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;je²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Paramètre: