NORME DE PRODUCTION DE LA DIODE DE SOUDAGE DE LA SÉRIE ZW
Les références normatives appliquées par Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co dans la production de diodes de soudage étaient les suivantes :
1. GB/T 4023—1997 Dispositifs discrets de dispositifs semi-conducteurs et circuits intégrés Partie 2 : Diodes de redressement
2. GB/T 4937—1995 Méthodes d'essais mécaniques et climatiques pour les dispositifs à semi-conducteurs
3. JB/T 2423—1999 Dispositifs semi-conducteurs de puissance - Méthode de modélisation
4. JB/T 4277—1996 Emballage de dispositifs semi-conducteurs de puissance
5. JB/T 7624—1994 Méthode de test de diode de redressement
Modèle et taille
1. Nom du modèle : le modèle de la diode de soudage fait référence aux réglementations JB/T 2423-1999, et la signification de chaque partie du modèle est illustrée à la figure 1 ci-dessous :
2. Symboles graphiques et identification du (sous) terminal
Les symboles graphiques et l'identification des bornes sont illustrés à la figure 2, la flèche pointe vers la borne de cathode.
3. Forme et dimensions d'installation
La forme de la diode soudée est convexe et de type disque, et la forme avec la taille doit répondre aux exigences de la figure 3 et du tableau 1.
| Article | Dimensions (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Bride cathodique (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode et anode Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Diamètre max de l'anneau en céramique(D2maximum) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Épaisseur totale (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Trou de position de montage | Diamètre du trou : φ3,5 ± 0,2 mm, profondeur du trou : 1,5 ± 0,3 mm. | ||
| Remarque : dimension et taille détaillées, veuillez consulter | |||
Notes et caractéristiques
1. Niveau paramètres
La série de tension de crête répétitive inverse (VRRM) est telle que spécifiée dans le tableau 2
Tableau 2 Niveau de tension
| VMRR(V) | 200 | 400 |
| Niveau | 02 | 04 |
2. Valeurs limites
Les valeurs limites doivent être conformes au tableau 3 et s'appliquer à l'ensemble de la plage de températures de fonctionnement.
Tableau 3 Valeur limite
| Valeur limite | Symbole | Unité | Valeur | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Température du boîtier | Tcase | ℃ | -40～85 | |||
| Température de jonction équivalente (max) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Température de stockage | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Tension inverse de crête répétitive (max) | VMRR | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Tension de crête non répétitive inverse (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Courant moyen direct (max) | IF（AV） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Courant de surtension direct (non répétitif) (max) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Force de montage | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45~50 | 52~57 |
3. Valeurs caractéristiques
Tableau 4 Valeurs caractéristiques max.
| Caractère et état | Symbole | Unité | Valeur | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Tension de crête directeIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Courant de crête répétitif inverseTj=25℃, Tj=170℃ | IMRR | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Résistance thermique Jonction-boîtier | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Remarque : pour des exigences particulières, veuillez consulter | ||||||
Lediode de soudageproduit par Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor est largement appliqué dans les soudeuses par résistance, les machines de soudage à moyenne et haute fréquence jusqu'à 2000 Hz ou plus.Avec une tension de crête directe ultra-faible, une résistance thermique ultra-faible, une technologie de fabrication de pointe, une excellente capacité de substitution et des performances stables pour les utilisateurs mondiaux, la diode de soudage de Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor est l'un des appareils les plus fiables de l'alimentation chinoise. produits semi-conducteurs.