Description:

La puce de thyristor carrée est une sorte de puce de thyristor et une structure semi-conductrice à quatre couches avec trois jonctions PN, comprenant une grille, une cathode, une plaquette de silicium et une anode.La cathode, la plaquette de silicium et l'anode sont toutes de forme plate et carrée.Un côté de la plaquette de silicium est fixé avec une cathode, un autre côté est fixé avec une anode, un trou de plomb est ouvert sur la cathode et la grille est agencée dans le trou.La grille, la cathode et la surface de l'anode sont recouvertes d'un matériau de soudure.Les principaux processus de production comprennent : le nettoyage des tranches de silicium, la diffusion, l'oxydation, la photolithographie, la corrosion, la protection par passivation, la métallisation, les tests et le découpage.

Portefeuille de fabrication :

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

Type de portail :

• Porte d'angle triangulaire : ITAV=25 A~60 A

• Porte centrale ronde : ITAV = 110 A à 200 A

Structure:

• Double mesa

• L'anode métallisée est en métal multicouche TiNiAg ou Al+TiNiAg

• La couche de cathode métallisée est en Al ou TiNiAg

Caractéristiques:

• Diffusion distribuée en aluminium, faible chute de tension à l'état passant, tension de blocage élevée

• Forme à double angle négatif

• Matériau de protection de passivation : SIPOS+GLASS+LTO

• Faible IL et large application

• Couche d'aluminium épaisse et collage facile

• Excellente cohérence de déclenchement