Dossier de presse IGBT
Dossier de presse IGBT (IEGT)
| TAPER | VGDN V | VMRR V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0.90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Note:D- avec dpartie iode, A-sans partie diode
Classiquement, les modules IGBT à contact de soudure étaient appliqués dans l'appareillage de commutation du système de transmission à courant continu flexible.Le paquet de module est une dissipation thermique d'un seul côté.La capacité de puissance de l'appareil est limitée et ne convient pas pour être connecté en série, faible durée de vie dans l'air salin, mauvaise vibration anti-choc ou fatigue thermique.
Le nouveau type de dispositif IGBT press-pack haute puissance à contact par pression résout non seulement complètement les problèmes de vacance dans le processus de soudage, la fatigue thermique du matériau de soudage et la faible efficacité de la dissipation thermique unilatérale, mais élimine également la résistance thermique entre les différents composants, minimiser la taille et le poids.Et améliorez considérablement l'efficacité de travail et la fiabilité du dispositif IGBT.Il est tout à fait approprié pour satisfaire les exigences de haute puissance, haute tension et haute fiabilité du système de transmission CC flexible.
Le remplacement du type de contact à souder par un IGBT press-pack est impératif.
Depuis 2010, Runau Electronics a été élaboré pour développer un nouveau type de dispositif IGBT press-pack et réussir la production en 2013. La performance a été certifiée par une qualification nationale et la réalisation de pointe a été achevée.
Maintenant, nous pouvons fabriquer et fournir des IGBT pressés en série de la gamme IC de 600A à 3000A et de la gamme VCES de 1700V à 6500V.Une splendide perspective d'IGBT press-pack fabriqué en Chine à appliquer dans le système de transmission CC flexible en Chine est très attendue et il deviendra un autre jalon de classe mondiale de l'industrie chinoise de l'électronique de puissance après le train électrique à grande vitesse.
Brève introduction du mode typique :
1. Mode : Press-pack IGBT CSG07E1700
●Caractéristiques électriques après conditionnement et pressage
● Inverserparallèleconnectédiode de récupération rapideconclu
● Paramètre：
Valeur nominale（25℃）
un.Tension d'émetteur de collecteur : VGES = 1700 (V)
b.Tension d'émetteur de porte : VCES = ±20 (V)
c.Courant de collecteur : IC=800 (A) ICP=1600 (A)
d.Dissipation de puissance du collecteur : PC=4440 (W)
e.Température de jonction de travail : Tj=－20~125℃
F.Température de stockage : Tstg=－40~125℃
Noté : l'appareil sera endommagé s'il dépasse la valeur nominale
ÉlectriqueCcaractéristiques, TC=125℃，Rth (résistance thermique dejonction àcas）non inclus
un.Courant de fuite de grille : IGES=±5 (μA)
b.Courant de blocage de l'émetteur du collecteur ICES = 250 (mA)
c.Tension de saturation de l'émetteur du collecteur : VCE (sat) = 6 (V)
d.Tension de seuil d'émetteur de porte : VGE(th)=10(V)
e.Temps d'activation : Ton = 2,5 μs
F.Temps d'arrêt : Toff=3μs
2. Mode : Press-pack IGBT CSG10F2500
●Caractéristiques électriques après conditionnement et pressage
● Inverserparallèleconnectédiode de récupération rapideconclu
● Paramètre：
Valeur nominale（25℃）
un.Tension d'émetteur de collecteur : VGES = 2500 (V)
b.Tension d'émetteur de porte : VCES = ±20 (V)
c.Courant de collecteur : IC=600 (A) ICP=2000 (A)
d.Dissipation de puissance du collecteur : PC=4800 (W)
e.Température de jonction de travail : Tj=－40~125℃
F.Température de stockage : Tstg=－40~125℃
Noté : l'appareil sera endommagé s'il dépasse la valeur nominale
ÉlectriqueCcaractéristiques, TC=125℃，Rth (résistance thermique dejonction àcas）non inclus
un.Courant de fuite de grille : IGES=±15 (μA)
b.Courant de blocage de l'émetteur du collecteur ICES = 25 (mA)
c.Tension de saturation de l'émetteur du collecteur : VCE (sat) = 3,2 (V)
d.Tension de seuil d'émetteur de porte : VGE(th)=6,3(V)
e.Temps d'activation : Ton = 3,2 μs
F.Temps d'arrêt : Toff=9.8μs
g.Diode Tension directe : VF=3,2 V
h.Temps de récupération inverse de diode : Trr = 1,0 μs
3. Mode : Press-pack IGBT CSG10F4500
●Caractéristiques électriques après conditionnement et pressage
● Inverserparallèleconnectédiode de récupération rapideconclu
● Paramètre：
Valeur nominale（25℃）
un.Tension d'émetteur de collecteur : VGES=4500 (V)
b.Tension d'émetteur de porte : VCES = ±20 (V)
c.Courant de collecteur : IC=600 (A) ICP=2000 (A)
d.Dissipation de puissance du collecteur : PC=7700 (W)
e.Température de jonction de travail : Tj=－40~125℃
F.Température de stockage : Tstg=－40~125℃
Noté : l'appareil sera endommagé s'il dépasse la valeur nominale
ÉlectriqueCcaractéristiques, TC=125℃，Rth (résistance thermique dejonction àcas）non inclus
un.Courant de fuite de grille : IGES=±15 (μA)
b.Courant de blocage de l'émetteur du collecteur ICES = 50 (mA)
c.Tension de saturation de l'émetteur du collecteur : VCE (sat) = 3,9 (V)
d.Tension de seuil d'émetteur de porte : VGE(th)=5,2 (V)
e.Temps d'activation : Ton=5.5μs
F.Temps d'arrêt : Toff=5,5 μs
g.Diode Tension directe : VF=3,8 V
h.Temps de récupération inverse de diode : Trr = 2,0 μs
Note:Press-pack IGBT est un avantage dans la fiabilité mécanique élevée à long terme, la haute résistance aux dommages et les caractéristiques de la structure de connexion par pression, est pratique pour être utilisé dans un appareil en série, et par rapport au thyristor GTO traditionnel, l'IGBT est une méthode d'entraînement en tension .Par conséquent, il est facile à utiliser, sûr et large plage de fonctionnement.